乌海高纯特种气体中单元高纯气体的品种及用途（三）

乌海高纯特种气体是由两大类气体组成的。一类为单元高纯气体,另一类为混合气体。到目前为止,特种气体中单元纯气体共有260种,其中:

电子气体共114种,占总数的43.8%(实际常用的约44种);

有机气体共65种,占总数的25%;

无机气体共35种,占总数的13.4%;

卤碳素气体共29种,占总数的11%;

同位素气体共17种,占总数的6.8%。

本文专门介绍这260种单元高纯特种气体的用途。

31.碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

32二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

33.三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

36.二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

37.二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺；PCl3是有机物的良好氯化剂；也用于含磷有机物的合成。

39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。

40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散；作硼载气及一些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。

41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

42.四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。

43.四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。

44.乌海高纯特种气体四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。

45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

46.五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

47.六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。

48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。

49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。

50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。

51.三氟化硼-BF3,>99.99%,用于离子注入；另外,可作载气、某些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮、氧、碳化物。

52.三氟化磷-PF3,>99%,用于外延、离子注入工序；另外用作氟化剂。

53.三氟化砷-AsF3,>99.9%,用途同(52)。

54.二氟化氨-XeF2,>99.9%,用于外延、离子注入工序；用于固定模具氨的考察及原子反应堆排放废气中氮的测定。

55.三氟氯甲烷-CClF3,(R-13),>99.995%,用于等离子干刻工序；冷冻剂、空调均可用。

56.三氟甲烷-CHF3,(R-23),>99.999%,用于等离子干刻工序;低温冷冻剂。

57.三氟化氮-NF3>99.99%,用于等离子干刻工序;火箭推进剂、氟化剂。

58.三氟嗅甲烷-CBrF3,(R13B1),>99.99%,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。

59.三氟化硼-11-B11F3,>99.99%,用于离子注入工序(天然硼的同位素,含11B8l%,10B19%。出售的11B是浓缩含有96%同位素BF3);还用于制备光导纤维。

60.四氟化碳-CF4,(R-14),>99.99%,用于等离子干刻工序;乌海高纯特种气体在很低温度下作为低温流体用;也用于中性及惰性气体。